最安値挑戦! ナノエレクトロニクスにおける絶縁超薄膜技術 成膜技術と膜・界面のの物性科学 NTS 物理学
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最終更新 2024/07/12 UTC
商品の説明
小夏屋 お楽しみセット 2020 ネゴラ 新品未開封41,800円。2012年初版1刷。中古。箱と表紙裏表紙にやや強めの傷みあり。箱に約3cmの破れあり。他に書き込みや目立つ汚れなど無し(出品前に一通り確認していますが、見逃しがございましたらご容赦下さい)。。【落札後24時間以内に必ずご連絡と、商品到着の翌日までに取引ナビの「受取連絡」をお願いします】【オークション終了後48時間以内のお支払いお願いします(新規の方は終了の24時間以内のお支払いお願いします。】出版社紹介文素子性能を左右する「誘電体」開発の最前線!半導体素子の微細化に伴う諸問題を解決する「絶縁膜」にクローズアップ。技術・科学的課題、高誘電材料・低誘電材料の研究開発などを丁寧に詳解。発送は、レターパックライト(370)、レターパックプラス(520)、土日祝日を除くお支払いの当日または翌日に発送します(悪天候の場合と年末年始は、発送が遅れることがあります)入札の取り消しはご遠慮下さい。新規の方と評価10以下の方、評価に悪いが多い方は、局留めでの発送はしません。梱包についてビニールと封筒で梱包します。緩衝材での梱包をご希望の場合は110円ご負担お願いします(送料が変わる場合があります)。もくじ1 エレクトロニクスにおけるスケーリングの追求と絶縁膜の技術・科学的課題第1章 絶縁膜の超薄膜化ニーズ (岩井 洋)1. はじめに2. 集積回路におけるトランジスタの微細化の必要性3. トランジスタ微細化の問題点とその解決策4. スケーリング則5. MOSFET ゲート絶縁膜の超薄膜化ニーズ6. その他の絶縁膜の超薄膜化ニーズ7. まとめ第2章 絶縁体超薄膜における量子界面物性の基礎的諸問題 (長谷川 英機)1. high -κ絶縁体薄膜を持つMOS 構造とその界面電子物性2. 金属-半導体および金属-絶縁体界面におけるフェルミ準位ピンニング3. 絶縁体超薄膜と半導体の界面におけるバンドの相互配置4. 絶縁体超薄膜と半導体の界面における界面欠陥準位とその制御5. おわりに2 絶縁超薄膜技術 ~分子設計・加工・評価~第1章 ゲートスタック絶縁膜設計研究第1節 次世代ゲート絶縁膜の材料設計とその応用 (知京 豊裕/生田目 俊秀/関口 隆史/ Chen Jun /若山 裕)1. 次世代集積回路のゲート絶縁膜の抱える課題2. high -κ材料の設計指針:電子構造と結晶構造から見た材料選択3. high -κ/SiO2 界面の制御4. 欠陥の視覚化5. high -κのSi への直接接合6. 酸化物の電子構造とバンドオフセット7. high -κ材料と新材料との融合:分子メモリへの挑戦8. ゲート絶縁膜を巡る最近の話題と今後の課題第2節 原子層制御界面とエピタキシャル成長HfO2 ゲート絶縁膜による高性能ゲートスタックの創製技術 (太田 裕之/右田 真司/森田 行則)1. はじめに2. HfO2 直接成長のためのSi 表面処理技術3. エピタキシャル成長によるSi 表面へのHfO2 絶縁膜の直接成長4. おわりに第3節 X 線光電子分光と第一原理分子軌道計算によるMOS 界面局所構造の物性研究~誘電率と絶縁破壊電界~ (廣瀬 和之/小林 大輔)1. MOSFET の局所構造の物性2. X 線光電子分光による誘電率の推定法3. 第一原理分子軌道計算による光学的誘電率の推定4. 第一原理分子軌道計算による絶縁破壊電界の推定5. まとめ第2章 評価と評価技術第1節 EUPS による絶縁膜表面・界面の精密評価 (富江 敏尚)1. はじめに2. EUPS を用いた、絶縁超薄膜の膜質・界面の精密評価法測定例3. EUPS で絶縁超薄膜の膜質・界面の精密評価法を可能にする原理4. おわりに第2節 誘電体表面付近の電荷密度分布シミュレーション (村田 英一/野田 啓介/石原 嘉隆/下山 宏/須原 浩之/田中 宏昌)1. はじめに2. 電子光学装置とV th 分布3. 複合誘電体系における境界電荷法4. 誘電体表面電荷密度分布シミュレーション5. 計算結果と検証6. まとめ3 ポストシリコン・トランジスタとゲート絶縁膜第1章 カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜(大野 雄高)1. はじめに2. CNFET3. high -κ絶縁膜界面と素子特性4. おわりに第2章 グラフェンチャネルFET のゲートスタック技術 (尾辻 泰一)1. はじめに2. グラフェンチャネルFET の基本動作特性と高性能化への課題3. ゲートスタック技術4. まとめ第3章 Ge - MOS 対応ジルコニアhigh -κゲートスタックの形成 (中島 寛)1. はじめに2. 実験方法3. 結果と考察4. おわりに4 層間絶縁膜第1章 low -κ薄膜絶縁材料開発 (工藤 一秋)1. はじめに2. 層間絶縁膜材料3. ILD 用low -κ材料開発の推移4. おわりに第2章 無機高分子系多孔質low -κ層間絶縁膜材料NCS の開発 (矢野 映/中田 義弘/中村 友二)1. はじめに2. 代表的な絶縁材料3. 無機高分子系多孔質low -κ層間絶縁膜材料の課題4. 無機高分子系多孔質low -κ層間絶縁膜材料NCS の開発コンセプトと特性5. Cu/NCS多層配線形成時の課題と対策6. Cu/NCS多層配線の性能7. おわりに第3章 ポリイミドナノ粒子による次世代low -κ膜生成 (石坂 孝之/笠井 均/及川 英俊)1. はじめに2. 低誘電率膜作製に対する研究例3. 再沈法によるポリイミドナノ構造体の作製4. low-κナノ粒子膜の作製5. おわりに第4章 ポリイミド代替指向~ 多孔性low -κポリベンゾオキサゾール絶縁膜材料の開発~ (福丸 貴弘/藤ヶ谷剛彦/中嶋 直敏)1. はじめに2. PPBO 前駆体(t-Boc-prePBO)の合成3. t-Boc-prePBOフィルムおよびPPBO フィルムの作製および評価4. 光酸発生剤を用いたt-Boc-prePBOフィルムのパターニング5. おわりに第5章 エポキシ系層間絶縁フィルムの開発 (中村 茂雄)1. 概要2. エポキシ系層間絶縁フィルムの開発3. エポキシ系層間絶縁フィルム(ABF;Ajinomoto Build - up Film)4. ABF 新開発品5. ガラスクロスとの複合材料6. 極薄銅転写フィルムつきABF7. おわりに5 絶縁膜形成とエッチング第1章 ナノエレクトロニクスを支える先端成膜技術 (斎藤 秀俊)1. 昔の薄膜形成に見る薄膜形成の基本的な考え方2. 現代の薄膜3. 薄膜形成技術の分類4. PVD法5. CVD法6. レイヤーエピタキシー法7. おわりに第2章 材料の構造設計可能な低温・低損傷・中性粒子ビーム励起堆積技術 (寒川 誠二)1. はじめに2. 中性粒子ビーム生成装置3. 中性粒子ビーム励起絶縁膜堆積技術コンセプト4. 超低誘電率膜の実現5. 中性粒子ビームによるSi およびGe低温高品質酸化技術6. まとめ第3章 ゲート絶縁膜形成技術~ 高性能high-κ絶縁膜ゲートスタック構造構築と成膜条件(high -κ/Ge 系を事例として) (田岡 紀之/財満 鎭明)1. はじめに2. Ge酸化物の特性3. Ge MOS界面の界面層による特性制御4. まとめと今後の課題第4章 high-κ膜のドライエッチング (斧 高一)1. はじめに2. high-κ絶縁膜材料のエッチング3. BCl3プラズマによるHfO2エッチング4. メタル電極材料のエッチング5. おわりに第5章 層間絶縁膜の成膜とエッチング (石川 健治/堀 勝)1. はじめに2. ナノエレクトロクスにおける配線形成プロセス3. 層間絶縁膜の成膜4. 層間絶縁膜のエッチング5. デバイス特性への影響6. まとめ6 ナノエレクトロニクスと絶縁膜技術展望1. 絶縁膜の性質と意味2. 界面特性を変調させる絶縁膜3. 絶縁膜の電気的信頼性と新機能性4. 新材料と絶縁膜の界面5. おわりに著者一覧岩井 洋 東京工業大学フロンティア研究機構 教授長谷川 英機 北海道大学 名誉教授/独立行政法人理化学研究所 客員主管研究員知京 豊裕 独立行政法人物質・材料研究機構MANA ナノエレクトロニクス材料ユニットユニット長生田目 俊秀 独立行政法人物質・材料研究機構MANA - MANA ファウンドリ統括マネージャー関口 隆史 独立行政法人物質・材料研究機構ナノエレクトロニクス材料ユニット半導体特性評価グループ グループリーダーChen Jun 独立行政法人物質・材料研究機構ナノエレクトロニクス材料ユニット半導体特性評価グループ 研究員若山 裕 独立行政法人物質・材料研究機構ナノエレクトロニクス材料ユニット半導体デバイス材料グループ 研究員太田 裕之 独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門シリコンナノデバイスグループ 主任研究員右田 真司 独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門シリコンナノデバイスグループ 主任研究員森田 行則 独立行政法人産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門シリコンナノデバイスグループ 主任研究員廣瀬 和之 独立行政法人宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 准教授小林 大輔 独立行政法人宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究所 助教富江 敏尚 独立行政法人産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門 研究顧問村田 英一 名城大学理工学部電気電子工学科 准教授野田 啓介 名城大学理工学部電気電子工学科石原 嘉隆 名城大学理工学部電気電子工学科下山 宏 名城大学理工学部電気電子工学科 教授須原 浩之 株式会社リコー画像エンジン開発本部 シニアスペシャリスト田中 宏昌 株式会社リコー画像エンジン開発本部 アソシエイト大野 雄高 名古屋大学大学院工学研究科 准教授尾辻 泰一 東北大学通信研究所ブロードバンド工学研究部門 教授/独立行政法人科学技術振興機構戦略的創造研究事業CREST中島 寛 九州大学産学連携センター 教授工藤 一秋 東京大学生産技術研究所 教授矢野 映 株式会社富士通研究所基盤技術研究所 所長中田 義弘 株式会社富士通研究所基盤技術研究所集積技術研究部 主任研究員中村 友二 株式会社富士通研究所基盤技術研究所 シニアディレクター石坂 孝之 独立行政法人産業技術総合研究所コンパクト化学システム研究センター研究員笠井 均 東北大学多元物質科学研究所 准教授及川 英俊 東北大学多元物質科学研究所 教授福丸 貴弘 九州大学大学院工学研究院応用化学部門藤ヶ谷 剛彦 九州大学大学院工学研究院応用化学部門 准教授中嶋 直敏 九州大学大学院工学研究院応用化学部門/WPI, カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所 教授中村 茂雄 味の素株式会社バイオ・ファイン事業本部バイオ・ファイン研究所素材・用途開発研究所素材開発研究室 機能材料グループ長斎藤 秀俊 長岡技術科学大学物質・材料系 副学長/教授寒川 誠二 東北大学流体科学研究所流体融合研究センター 教授田岡 紀之 名古屋大学大学院工学研究科 特任准教授財満 鎭明 名古屋大学大学院工学研究科 教授斧 高一 京都大学大学院工学研究科 教授石川 健治 名古屋大学大学院工学研究科プラズマナノ工学研究センター 特任教授堀 勝 名古屋大学大学院工学研究科 教授鳥海 明 東京大学大学院工学系研究科 教授
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界面電子物理学 - 岡山大学 大学院環境生命自然科学研究科
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